EDI产水电导率表

以下是关于 EDI（电去离子）产水电导率 的详细解析，包括标准范围、影响因素、异常原因及解决方案，供工程调试或运维参考：


1. EDI产水电导率标准范围
| 应用场景        | 典型产水电导率（μS/cm） | 超纯水要求（如半导体）|
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| 常规工业用水       | 0.1~1.0 μS/cm               | ≤0.1 μS/cm                |
| 制药/生物工程      | 0.05~0.5 μS/cm              | ≤0.055 μS/cm（USP标准）   |
| 高压锅炉补给水     | ≤0.2 μS/cm                  | -                         |
| 电子级超纯水       | 0.056~0.1 μS/cm（18.2 MΩ·cm）| 需搭配抛光混床           |


2. 影响EDI产水电导率的关键因素
（1）进水水质（RO产水）
电导率：RO产水电导率应＜20 μS/cm（理想值＜10 μS/cm）。  
CO含量：＞5 ppm时会形成H/HCO，升高产水电导（需调节RO进水pH或脱气）。  
硅/硼：难被EDI去除，可能导致电导率隐性升高（需RO预处理控制）。  

（2）操作参数
|     参数          | 优化范围                   | 异常影响                 |
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| 电流/电压         | 根据模块规格调整           | 电流过低→离子迁移不足→电导率升高 |
| 流量              | 设计流量的±10%             | 流量过高→接触时间不足          |
| 水温              | 15~25℃                    | ＞30℃时离子扩散加快，可能超标   |

（3）EDI模块状态
 膜堆污染：钙镁结垢（硬度泄漏）、有机物/胶体堵塞流道。  
树脂失效：长期运行后树脂破碎或交换容量下降。  
 电极老化：极水室腐蚀导致电流效率降低。  

3. 电导率异常原因及处理措施
（1）电导率突然升高（如从0.1→1.5 μS/cm）
可能原因：  
   RO膜破损或密封圈泄漏（检查RO产水电导率）。  
  EDI电流异常（测量直流电压是否稳定）。  
  模块内部短路（联系厂商检测电阻）。  
应急处理：  
  1. 降低产水流量10%~20%。  
  2. 短时提高运行电流10%（避免持续超限）。  

（2）电导率缓慢上升（如每月升高0.1 μS/cm）

可能原因：  
  树脂逐渐失效（监测再生周期）。  
   进水CO积累（安装脱气膜或加碱调节RO进水pH至8~8.5）。  

长期措施：  
  化学清洗（0.1% NaOH+0.1% HCl交替清洗）。  
   更换部分树脂或膜片（视模块设计而定）。  

4. 维护建议
 每日监测：对比RO产水与EDI产水电导率差值（正常差值≤5 μS/cm）。  
 每月维护：  
  检查极水流量（通常为总进水量的5%~10%）。  
  校准电导率仪（使用标准KCl溶液）。  
年度检修：  
   拆解模块检查结垢/污染（重点观察浓水室隔网）。  


5. 特殊案例参考
高硼水源：EDI对硼去除率仅50%~70%，需在RO前投加NaOH提高pH至＞9.5。  
低电导率RO产水（＜5 μS/cm）：需补充少量NaCl（0.1~1 ppm）维持EDI电流效率。  


若电导率持续超标，建议进行 **水质全分析**（重点检测SiO、CO、TOC）。